微流体冷却通过在芯片内部或层间集成微米级流体通道，利用流动的冷却液直接吸收并带走热量，目前能做到提高导热率20-40，但制造复杂度高，可能影响心片可靠性，功耗高，还有冷却液泄露风险。
热电材料无运动部件，静音且可靠性高，响应速度快，受到不少研究者的青睐，可惜高zt材料成本昂贵，难以大规模应用，所以如果能够找到一种zt值高，制备起来又经济的材料，那就意味着滚滚而来的财富。
尤其是在当今县官技术被卡脖子的情况下，若真能有突破性进展，这对华夏更是意义重大。
因为散热瓶颈消除后，心片可突破现有制程限制，实现更高密度3d堆叠，晶体管密度提升10-100倍，心片主频有望重返高频时代，结合量子隧穿抑制技术，性能或提升5-8倍。
这就意味着哪怕是造不出5nm，3nm，我们同样可以通过更高密度的堆叠来实现同样的性能，达到弯道超车的目标。
当然，更可能的情况是，对面会求着用我们的热电材料，反而是随着nm数越小，散热问题越严重，他们同样迫切的需要解决这个问题，到时候谁卡谁就不好说了。
合则两利的事情。
当有更大利益驱使时，某些霸权的话可就不好使了，封锁自然不攻自破。
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