pn结的特点：具有单向导电性。
扩散运动：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。
空间电荷区：扩散到p区的自由电子与空穴复合，而扩散到n区的空穴与自由电子复合，所以在交界面附近多子的浓度下降，p区出现负离子区，n区出现正离子区，它们是不能移动，称为空间电荷区。
电场形成：空间电荷区形成内电场。
空间电荷加宽，内电场增强，其方向由n区指向p区，阻止扩散运动的进行。
漂移运动：在电场力作用下，载流子的运动称漂移运动。
pn结的形成过程：将p型半导体与n型半导体制作在同一块硅片上，在无外电场和其它激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成pn结。
电位差：空间电荷区具有一定的宽度，形成电位差uho，电流为零。
耗尽层：绝大部分空间电荷区内自由电子和空穴的数目都非常少，在分析pn结时常忽略载流子的作用，而只考虑离子区的电荷，称耗尽层。
pn结的单向导电性
p端接电源的正极，n端接电源的负极称之为pn结正偏。此时pn结如同一个开关合上，呈现很小的电阻，称之为导通状态。
p端接电源的负极，n端接电源的极称之为pn结反偏，此时pn结处于截止状态，如同开关打开。结电阻很大，当反向电压加大到一定程度，pn结会发生击穿而损坏。